一、工序名稱:芯片封裝工藝之晶圓推力測(cè)試作業(yè)順序
1.打開推拉力測(cè)試儀設(shè)備電源開關(guān)。
2.把需要測(cè)試的產(chǎn)品用AB膠固定在專用測(cè)試治具上。
3.在顯示屏上選中晶片推力測(cè)試選項(xiàng),然后點(diǎn)擊按鈕,進(jìn)入推力測(cè)試模式。
4.將專用測(cè)試治具裝在推拉力測(cè)試儀上,并且旋轉(zhuǎn)螺絲將治具固定。
5.把顯微鏡調(diào)至可清晰看到需測(cè)試晶片的位置,設(shè)備前后左右移動(dòng)開關(guān),上下移動(dòng)開關(guān),顯微鏡前后焦距調(diào)整開關(guān),顯微鏡傾斜角度調(diào)整開關(guān),清晰度調(diào)整開關(guān)。
6.確認(rèn)測(cè)試鉤針已經(jīng)調(diào)整好位置后按下井號(hào)鍵,待測(cè)試完產(chǎn)品后需確認(rèn)一下晶片的推力數(shù)值及晶片測(cè)試后的狀況(如晶片破損且PCB基板未被推刀刮傷為OK),測(cè)試完畢可得晶片推理測(cè)試圖表。
7.作業(yè)完成后,填寫首件點(diǎn)檢表進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄,若測(cè)試數(shù)值符合生產(chǎn)規(guī)格則允許批量生產(chǎn),若測(cè)試數(shù)值不符合生產(chǎn)規(guī)格則讓技術(shù)員重新調(diào)整參數(shù)重新測(cè)試,直到測(cè)試數(shù)值符合生產(chǎn)規(guī)格為止。
二、管理與檢查項(xiàng)目
1檢查電源是否接通,推拉力測(cè)試儀電源信號(hào)燈是否為工作狀態(tài)(如圖2所示)。
2檢查膠水是否在使用日期內(nèi),產(chǎn)品固定在專用治具上必須等待5分鐘方可進(jìn)行后段測(cè)試工序。
3檢查專用治具是否已經(jīng)固定。
4檢查測(cè)試推刀是否只對(duì)1顆晶片進(jìn)行測(cè)試。
5拆卸專用治具時(shí)必須要等機(jī)器設(shè)備復(fù)位完成靜止?fàn)顟B(tài)后方可進(jìn)行。
三、設(shè)備與輔助工具
推拉力測(cè)試設(shè)備 博森源電子 LB-8600
四、異常處理
設(shè)備出現(xiàn)異常或發(fā)生不適合時(shí),作業(yè)者應(yīng)當(dāng)立即停止作業(yè),然后通知生產(chǎn)負(fù)責(zé)擔(dān)當(dāng)或工程技術(shù)人員處理。
五、適用客戶:IC設(shè)計(jì)、IC組裝、晶圓制造、晶圓測(cè)試、IC封裝測(cè)試、金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝、pth、smt表面貼裝式、SOT/QFN/SOIC/TSSOP/QFR/BGA/CSP、引線框架、焊接金線、引線焊接
晶片推力測(cè)試是一種測(cè)試晶片性能的方法,主要用于測(cè)試晶片的推力和功率。晶片推力測(cè)試通常使用推力計(jì)和功率計(jì)來測(cè)量晶片的推力和功率,以評(píng)估晶片的性能和可靠性。晶片推力測(cè)試可以用于各種應(yīng)用,包括航空航天、汽車、電子設(shè)備等領(lǐng)域。
晶片推力測(cè)試的原理是利用牛頓第三定律,即每個(gè)作用力都有一個(gè)相等的反作用力。當(dāng)晶片產(chǎn)生推力時(shí),推力計(jì)會(huì)測(cè)量到相應(yīng)的力值,而功率計(jì)則會(huì)測(cè)量到晶片消耗的功率。通過測(cè)量推力和功率,可以計(jì)算出晶片的效率和功率密度等參數(shù),以評(píng)估晶片的性能和可靠性。
晶片推力測(cè)試的應(yīng)用非常廣泛,可以用于測(cè)試各種類型的晶片,包括微處理器、傳感器、電機(jī)等。在航空航天領(lǐng)域,晶片推力測(cè)試可以用于測(cè)試火箭發(fā)動(dòng)機(jī)、噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)等推進(jìn)系統(tǒng)的性能。在汽車領(lǐng)域,晶片推力測(cè)試可以用于測(cè)試發(fā)動(dòng)機(jī)、變速器等部件的性能。在電子設(shè)備領(lǐng)域,晶片推力測(cè)試可以用于測(cè)試電機(jī)、電池等部件的性能。
總之,晶片推力測(cè)試是一種非常重要的測(cè)試方法,可以幫助評(píng)估晶片的性能和可靠性,為各種應(yīng)用提供支持。